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[发明专利]一种改善晶圆环状颗粒缺陷的方法-CN202310539340.0在审
发明人：冯奇艳;邱兰兰;陈敏杰;许进 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶圆环状颗粒缺陷的方法，提供等离子体刻蚀腔体，等离子体刻蚀腔体设有用于覆盖晶圆边缘的底部环；提供待刻蚀晶圆，将晶圆置于所述等离子体刻蚀腔体内进行作业，待作业完成后，将所述晶圆传出所述等离子体刻蚀腔体；对所述等离子刻蚀腔体进行无晶圆自动清洁；利用高压惰性气体对等离子体刻蚀腔体进行清扫，使得等离子体刻蚀腔体内形成扰流，使附着在底部环上的刻蚀后的残留物脱落；利用低压惰性气体，在等离子体刻蚀腔体的阀门全打开的状态下，对等离子体刻蚀腔体进行清扫，使得刻蚀后的残留物抽离等离子体刻蚀腔体；重复循环进行直到等离子体刻蚀腔体内的残留物清除干净为止。
一种改善圆环颗粒缺陷方法

[发明专利]PZT图形化方法-CN201910680688.5在审
发明人：蒋中原;许开东;车东晨;谷志强;韩大建;冯英雄;刘鹏;刘建;吴志浩 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先在离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔内通过离子束(或反应离子等离子体)对晶圆上的PZT进行部分刻蚀，然后将晶圆从离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔传输至反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔，在反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔内通过反应离子等离子体(或离子束)对晶圆上的PZT进行二次刻蚀；上述过程中，晶圆始终处于真空中；重复上述过程，直至PZT刻蚀完全。本发明结合了离子束刻蚀和反应离子等离子体刻蚀，消除了单一刻蚀法带来的侧壁沉积和损伤，提高了刻蚀速率。
反应离子等离子体离子束刻蚀腔晶圆刻蚀图形化等离子体刻蚀离子束刻蚀二次刻蚀侧壁沉积损伤传输重复

[发明专利]用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法-CN201811042338.8在审
发明人：刘波;单书珊;李建强;乔彦彬 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，其基于等离子体刻蚀机，且等离子体刻蚀机的反应仓的顶部开设有观察窗，且观察窗的上方设置有显微镜，用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法包括以下步骤：步骤一：将芯片放入等离子体刻蚀机的反应仓中；步骤二：等离子体刻蚀机的控制系统进行常规设置刻蚀芯片；步骤三：完成刻蚀流程后暂不取出芯片，通过显微镜透过观察窗实时观察芯片的刻蚀进度；以及步骤四：根据芯片的刻蚀进度确定是否为芯片的刻蚀终点借此，本发明的用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法，实时观察刻蚀进度，可以精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片的终点。
等离子体刻蚀机刻蚀芯片判定观察窗监测实时观察反应仓进度显微镜刻蚀流程刻蚀终点控制系统放入取出

[发明专利]一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离-CN01810393.6有效
发明人： J·马克斯 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2001-03-16 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种实现介质刻蚀、刻蚀掩膜剥离、和刻蚀腔体清洗的方法和设备。在刻蚀腔体内放入晶片。在刻蚀腔体内，使用一种由原位等离子体装置产生的原位等离子体对晶片实现介质刻蚀。使用一种由与刻蚀腔体连接的远程等离子体装置产生的远程等离子体剥离刻蚀掩膜。从刻蚀腔体取出晶片，或使用原位等离子体或使用远程等离子体来清洗刻蚀腔体。在没有使用约束环的刻蚀腔体中，用加热器加热刻蚀腔体壁来提供改进的清洗。
一种使用下游等离子体绝缘蚀刻中的改进抗蚀剂剥离

[发明专利]耐等离子刻蚀陶瓷体及其制造方法、等离子刻蚀设备-CN201610061677.5有效
发明人：向其军;谭毅成;林勇钊 -专利权人：深圳市商德先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐等离子刻蚀陶瓷体及其制备方法和等离子刻蚀设备。本发明耐等离子刻蚀陶瓷体由氧化铝粉体模压成型处理后进行烧制获得，其中，所述氧化铝粉体中含有不可避免的杂质成分，且所述杂质成分的质量含量为不大于0.001％。本发明耐等离子刻蚀陶瓷体耐等离子腐蚀性能高，其制备方法能够使得制备的耐等离子刻蚀陶瓷体耐等离子腐蚀性能高，尺寸稳定，密度高。本发明等离子刻蚀设备的刻蚀腔体内设有本发明耐等离子刻蚀陶瓷体构成的氧化铝陶瓷部件。因此，氧化铝陶瓷部件耐等离子腐蚀性能好，使得刻蚀得到的晶圆良率高，而且有效延长了氧化铝陶瓷部件的使用寿命。
等离子刻蚀陶瓷及其制造方法设备

[发明专利]一种等离子刻蚀机水平度的自动调节装置及方法-CN201610945576.4有效
发明人：刘季霖;连增迪;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子刻蚀机水平度的自动调节装置，包含：倾角传感器，固定安装在等离子刻蚀机上，且与等离子刻蚀机中承载基片的静电吸盘平行设置，用于检测等离子刻蚀机的倾斜角度与倾斜方向；多个调节组件，分别连接设置在等离子刻蚀机的底部下方；控制器，分别与倾角传感器以及各个调节组件连接，根据接收到的离子刻蚀机的倾斜角度与倾斜方向，控制各个调节组件对应进行升高或降低操作，以调节等离子刻蚀机处于水平状态。本发明通过倾角传感器实时监控等离子刻蚀机的水平度，在不需要打开刻蚀机腔体的情况下，自动完成精度高于0.1度的水平度调节，保证基片刻蚀的均匀性。
一种等离子刻蚀水平自动调节装置方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀方法和系统-CN201310728956.9有效
发明人：杨平;梁洁;万磊 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。
一种等离子体刻蚀方法系统

[发明专利]等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法-CN201110141770.4有效
发明人：王兆祥 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法，包括：将刻蚀气体按流量比例分配至等离子体刻蚀腔体内的至少2个区域对刻蚀目标进行刻蚀；向等离子体刻蚀腔体内的第一区域内，通入与所述刻蚀气体流量相对应的刻蚀速率调节气体，使第一区域和第二区域具有不同的刻蚀气体浓度，其中所述刻蚀速率调节气体包括不参与刻蚀化学反应的中性气体。本发明提供的等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法提高等离子体刻蚀腔体内的区域刻蚀调节能力，改善等离子体处理后均一性差的现象。
等离子体刻蚀体内气体调节方法

[实用新型]一种半导体芯片用等离子刻蚀机清洁装置-CN202122164835.9有效
发明人：李波;王军;徐梦晨 -专利权人：江苏应材微机电科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体芯片用等离子刻蚀机清洁装置，包括等离子刻蚀机本体、防护罩、支撑柱和电动滑轨，所述等离子刻蚀机本体一侧设有控制面板，且等离子刻蚀机本体内部设有蓄电池，同时蓄电池一侧设有除尘机构，所述防护罩设置在等离子刻蚀机本体上方，且防护罩内部设有工作台，所述支撑柱通过焊接方式与等离子刻蚀机本体固定连接，且支撑柱顶端固定连接有顶板，所述电动滑轨设置在顶板下方，且电动滑轨与滑块滑动连接，同时滑块下方设有清洁机构该半导体芯片用等离子刻蚀机清洁装置，设置有除尘机构和清洁机构，除尘机构除尘效果较好，便于使用，清洁机构便于对等离子刻蚀机进行清理。
一种半导体芯片等离子刻蚀清洁装置

[发明专利]非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备-CN201810769894.9在审
发明人：王晓娟;郑波;马振国;吴鑫;王春;史晶 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备，该非等离子体刻蚀方法包括：向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；其中，刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；还原性气体用于抑制刻蚀气体的刻蚀速率。本发明提供的非等离子体刻蚀方法，其可以实现非等离子体刻蚀，同时可以提高刻蚀选择比。
刻蚀非等离子体刻蚀气体还原性气体刻蚀选择比还原性气刻蚀设备反应腔室内

[发明专利]减少等离子刻蚀工艺的残留电荷方法-CN200810207334.0无效
发明人：张冬平;左亚军;段晓斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，属于刻蚀技术领域。在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。该方法具有等离子刻蚀关断速度慢的特点，因此晶圆能随着慢慢关断的等离子体而转移残留电荷，达到减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的目的，进一步避免离子损伤导致的可靠性问题。
减少等离子刻蚀工艺残留电荷方法

[发明专利]等离子体刻蚀的终点监测方法-CN200710094531.1有效
发明人：刘乒;张世谋;杜珊珊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀的终点监测方法，在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包含所述刻蚀剂中包含的元素；监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的斜率为0时，即为刻蚀终点。这种终点判断方法可以准确的控制等离子体刻蚀的刻蚀终点，适合65nm及其以下半导体制作工艺中对于等离子体刻蚀工艺刻蚀终点的精确控制。
等离子体刻蚀终点监测方法

[实用新型]等离子体刻蚀机反应腔的内衬及等离子体刻蚀机反应腔-CN201621426926.8有效
发明人：李娜;胡冬冬;程实然;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体刻蚀机反应腔的内衬和具有其的等离子体刻蚀机反应腔。等离子体刻蚀机反应腔的内衬以可拆卸的方式固定于所述等离子体刻蚀机反应腔的内壁，包括与等离子体刻蚀机反应腔的内壁相贴合的柱形侧壁，所述柱形侧壁设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口、以及与等离子体刻蚀机反应腔的抽气孔位置对应的匀流通路本实用新型可以在保护反应腔体内壁不受污染的同时，大幅度的提高反应腔获得高真空度的速率，提高刻蚀效率。
等离子体刻蚀反应内衬

[发明专利]制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板-CN201710348821.8在审
发明人：韩君奇;李静;陆光权;刘利萍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明公开了制备配向膜的系统与方法、基板以及显示面板，该系统包括刻蚀装置，所述刻蚀装置中限定出样品容纳空间；模板装置，所述模板装置包括刻蚀模板，所述刻蚀模板与所述刻蚀装置相对设置；以及等离子体装置，所述等离子体装置设置在所述模板装置远离所述刻蚀装置的一侧，所述等离子体装置被设置为能够产生等离子体，且所述等离子体能够通过所述刻蚀模板，作用于所述样品容纳空间中的待刻蚀样品。由此，可以利用等离子体刻蚀制备配向膜，使配向膜边缘整齐，有利于LCD的窄边框化，并缓解配向膜边缘扩散区域厚度不均的问题。
制备系统方法以及显示面板

[发明专利]一种改进的干法刻蚀腔体-CN201110222147.1无效
发明人：李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的干法刻蚀腔体，包括刻蚀腔体，其中，还包括进气管和远程等离子发生装置，所述进气管与所述刻蚀腔体连接，所述远程等离子发生装置包括出气口和等离子发生腔体，所述远程等离子发生装置的出气口与所述进气管连接，所述等离子发生腔体产生等离子体由所述出气口进入所述进气管，并由所述进气管导入所述刻蚀腔体内，所述等离子发生腔体与所述刻蚀腔体分离。本发明的有益效果是：改善双大马士革结构的一体化刻蚀制程中原位灰化制程本身固有的较高的离子损伤导致的表面粗糙度的增加，并提高一体化刻蚀制程的稳定性。
一种改进刻蚀

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